Zur Hauptnavigation / To main navigation

Zur Sekundärnavigation / To secondary navigation

Zum Inhalt dieser Seite / To the content of this page

Sekundärnavigation / Secondary navigation

Inhaltsbereich / Content

Vier-Spitzen-Messplatz für C-V- und I-V-Messungen

Süss EP 4 Vier-Spitzen-Messplatz kombiniert mit Keithley 4200-SCS Halbleiter-Charakterisierungssystem

  • interaktive DC Bauteil-Charakterisierung, Echtzeit-Graphik und Analyse mit hoch präziser sub-Femtoampere-Auflösung

  • kombinierte I-V- und C-V-Messungen an Bauteilen und Wafern, z.B. 4-Spitzen Van-der-Pauw-Widerstandsbestimmung