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Substratbonder "EVG 501"

  • Anodisches Bonden: Glas auf Silizium, SiO2-beschichtetes Silizium auf Silizium
  • Thermokompressionsbonden: diverse Substrate mit Zwischenschichten (z. B. SiO2, Si3N4 oder BCB)
  • Probengrößen:
    3"-Wafer (aufrüstbar bis 150 mm),
    Bruchstücke 25 mm × 25 mm, 25 mm × 50 mm;
    ohne Justieren auch weitere Größen bis 3" Durchmesser
  • Kraft bis 7000 N
  • Spannung bis 2000 V (max. 50 mA)
  • Temperatur bis 550°C