Prozessierung - TU Kaiserslautern

Prozesse und Technologien

Elektronenstrahl-Aufdampfanlage "Pfeiffer Classic 500L"

Die Aufdampfanlage dient dem Abscheiden dünner Schichten auf beliebige Festkörper. Das Schichtmaterial wird dabei in einem Tiegel durch einen Elektronenstrahl im Vakuum verdampft.
Anwendungsgebiete sind z. B. Metallkontakte für Bauelemente durch Kombination mit Photolithographie und Lift-off-Technik. Das Verdampfen verschiedener Materialien nacheinander bietet eine Vielzahl von Einsatzmöglichkeiten.

Sputteranlage "Oerlikon Leybold Vacuum UNIVEX 450 C"

Die Sputteranlage dient zum Abscheiden dünner Schichten auf beliebigen Festkörpern. Das Schichtmaterial liegt als sogennantes Target vor. Im Gegensatz zum Elektronenstrahl-Verdampfen können Legierungen stöchiometrisch richtig abgeschieden werden. Anwendungsgebiete sind z.B. die Herstellung von magnetischen Mehrschichtsystemen.

Plasmaätzanlage (ECR-RIE) "Roth&Rau MicroSys 350"

In einer RIE-Anlage (reactive ion etching) können Plasmen verschiedener Zusammensetzung erzeugt werden, um Schichten oder ein Substrat zu ätzen (Trockenätzen). ECR (electron cyclotron resonance) bewirkt eine Entkopplung von Ionendichte und -energie.
Partielles Ätzen (Strukturieren) kann durch Maskierung erreicht werden. Geeignete Parameterwahl ermöglicht ein anisotropes Ätzverhalten, im Gegensatz zum meist isotropen Ätzverhalten beim naßchemischen Ätzen.

Ionenstrahlätzanlage (IBE - RIBE) "Roth&Rau IonSys 500"

Beim Ionenstrahlätzen unterscheidet man zwischen reinem Sputtern mit Ar-Ionen (ion beam etching) und reaktivem Ätzen durch Zugabe weiterer Gase (reactive ion beam etching). Sputtern ermöglicht z. B. den Abtrag von Edelmetallen.

Wafersäge "Disco DAD321"

Die häufigsten Einsatzgebiete einer Wafersäge sind die Zerteilung von prozessierten Siliziumwafern in Chips und die Herstellung von kleinen Proben vor der Prozessierung. Gesägt werden können alle nichtgiftigen Substrate, wie z. B. Silizium und Glas.

Oxidationsofen "ATV PEO 603"

In der Siliziumtechnologie werden Oxidationsöfen für die thermische Oxidation von Siliziumwafern verwendet. Im Vergleich zu aufgedampftem oder deponiertem SiO₂ ist thermisches Oxid, insbesondere durch Trockenoxidation erzeugtes, dichter und elektrisch beständiger.

Plasmaverascher "Diener electronic PICO-UHP"

In dieser Plasmaanlage wird ein ungerichtetes Sauerstoffplasma erzeugt. Der häufigste Anwendungsbereich ist die Probenreinigung von organischen Rückständen, wie sie z. B. nach dem Entwickeln von Photolack zurückbleiben (Lackschleier).
Wichtig ist diese Reinigung vor Ätzungen und Depositionen.

Drahtbonder "TPT HB12"

Drahtbonden erzeugt elektrische Verbindungen mit mikrometerdicken Drähten durch Mikroschweißen. Bei dem hier eingesetzten Thermosonic-Bonden wird das Drahtende unter Einwirkung von Druck, Temperatur und Ultraschall mit der Probe pressverschweißt.

Substratbonder "EVG 501"

Das Wafer-Bonden ist eine Verbindungstechnik in der Halbleitertechnik, bei der zwei Substrate zusammengefügt werden. Man unterscheidet verschiedene Bondarten: Beim anodischen Bonden wird an die aufgeheizten Proben im Vakuum eine Spannung angelegt. Werden die aufgeheizten Proben im Vakuum dagegen mit großem Druck verbunden, spricht man von Thermokompressionsbonden. Für Silizium-Direktbonden kann in dieser Anlage Pre-Bonden durchgeführt werden; das Ausheilen muß dann bei Temperaturen um 1000°C in einem Ofen erfolgen.
Vielfältige Möglichkeiten der 3D-Integration bietet das Justieren der Substrate zueinander, das im "EVG 620" möglich ist.