Nano Structuring Center

Plasmaätzanlage (ECR-RIE) "Roth&Rau MicroSys 350"

  • Gase: Ar, CF4, CHF3, CH4, C4F8, O2, N2 und SF6 
  • Mikrowelle: 2,46 GHz, max. 850 W 
  • HF-Biasspannung: max. 300 V, DC-Bias bis 1000 V 
  • Probengröße: max. 100 mm Wafer, Bruchstücke 
  • He-Rückseitenkühlung