Plasmaätzanlage (ECR-RIE) "Roth&Rau MicroSys 350"
- Gase: Ar, CF4, CHF3, CH4, C4F8, O2, N2 und SF6
- Mikrowelle: 2,46 GHz, max. 850 W
- HF-Biasspannung: max. 300 V, DC-Bias bis 1000 V
- Probengröße: max. 100 mm Wafer, Bruchstücke
- He-Rückseitenkühlung
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