Plasmaätzanlage (ECR-RIE) "Roth&Rau MicroSys 350"

• Gase: Ar, CF₄, CHF₃, CH_4, C₄F₈, O₂, N₂ und SF₆ 
• Mikrowelle: 2,46 GHz, max. 850 W 
• HF-Biasspannung: max. 300 V, DC-Bias bis 1000 V 
• Probengröße: max. 100 mm Wafer, Bruchstücke 
• He-Rückseitenkühlung