Substratbonder "EVG 501"
- Anodisches Bonden: Glas auf Silizium, SiO2-beschichtetes Silizium auf Silizium
- Thermokompressionsbonden: diverse Substrate mit Zwischenschichten (z. B. SiO2, Si3N4 oder BCB)
- Probengrößen:
3"-Wafer (aufrüstbar bis 150 mm),
Bruchstücke 25 mm × 25 mm, 25 mm × 50 mm;
ohne Justieren auch weitere Größen bis 3" Durchmesser - Kraft bis 7000 N
- Spannung bis 2000 V (max. 50 mA)
- Temperatur bis 550°C